Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):50 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:120 MHz
Funkció:általános célra
Gyártó:Korea Electronics Semi.
Gyártói rendelési szám:KTA1663
hFE max.:320
hFE min.:100
Ic:1,5 A
Pd:1 W
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Technológia:Epitaxial Planar PNP Transistor
Tokozás:SOT-89
Tokozás (adatlap szerint):SOT-89
Tranzisztor típus:PNP
Vcbo:30 V
VCE(sat)max.:2 V
Vceo:30 V
Vebo:5 V




