Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):4 pF
C-E dióda:nincs
Csomagolás:papírdoboz
Csomagolási egység:2000 db
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:30 MHz
Funkció:Pre-ampl HI-FI, Low-noise
Gyártó:ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám:2N5210TA
hFE max.:600
hFE min.:200
Ic:100 mA
Ic(puls):–
Láb szám:3 db
Pd:625 mW
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vcbo:50 V
VCE(sat):0,7 V
Vceo:50 V
Vebo:4,5 V




