Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:P
DB/tokozás:1 db
FET típusa:FET
Funkció:MOS-P-FET-e
Gyártó:International Rectifier
Id(T=100):0,34 A
Id(T=25):0,56 A
Idss (max):0,56 A
Láb szám:4 db
Pd:1 W
Rds(on):1,5 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:HEXFET Power MOSFET
Tokozás:DIP
Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4
Vds(max):200 V
