Leírás
Technikai paraméterek
C (in):12 pF
C (out):2210 pF
Csatorna típus:P
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):315 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:P-Channel Enhancement Mode
G-S védelem:nincs
Gyártó:IXYS
Id(imp):270 A
Id(T=100):-
Id(T=25):90 A
Idss (max):250 uA
Idss (min):50 uA
Láb szám:3 db
Pd:890 W
Rds(on):44 mOhm
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):89 ns
td(on):32 ns
Technológia:PolarPTM Power MOSFET
Tokozás:TO-264 ( TOP-3L )
Tokozás (adatlap szerint):TO-264
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):200 V
Vgs:20 V
Vgs(th) min.:2 V
