Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):280 pF
C-E dióda:nincs
Csomagolás:műanyag cső
Csomagolási egység:30 db
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:10 MHz
Funkció:High Power Audio Amplifier
Gyártó:Korea Electronics Semi.
hFE max.:160
hFE min.:55
Ic:10 A
Jelzés a tokon:B778
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:80 W
Spec.info:Párja: KTD998
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:TO-3PF ( SOT399, 2-16E3A )
Tokozás (adatlap szerint):TO-3P ( H ) IS
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:120 V
VCE(sat):2,5 V
Vceo:120 V
Vebo:5 V




