Leírás
Technikai paraméterek
C (in):25 pF
C (out):8,5 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):30 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Very Fast Switching
G-S védelem:nincs
Gyártó:NXP Semiconductors
Gyártói rendelési szám:BST82,215
Id(imp):0,8 A
Id(T=100):0,12 A
Id(T=25):0,19 A
Idss (max):10 uA
Idss (min):0,01 uA
Láb szám:3 db
Pd:0,83 W
Rds(on):5 Ohm
ROHS:igen
Spec.info:Logic level compatible
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
td(off):12 ns
td(on):3 ns
Technológia:enhancement mode field-effect transistor
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-23 ( TO236 )
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vds(max):100 V
Vgs:20 V
Vgs(th) max.:3,5 V
Vgs(th) min.:1 V




