Akció GT35J321 N-IGBT 600V+D 37A/100Ap 75W Vce(sat) 1.9 – 2.3V

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Funkció:High Power Switching Applications

G-E Dióda:nincs

Gyártó:TOSHIBA

Gyártói rendelési szám:GT35J321

Ic:37 A

Ic(puls):100 A

Ic(T=100°C):18 A

Jelzés a tokon:–

Láb szám:3 db

Max. hőmérséklet:+150 °C

Pd:75 W

ROHS:igen

Spec.info:Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):0,51 ns

td(on):0,33 ns

Tokozás:TO-3P( N )IS

Tokozás (adatlap szerint):TO-3P

Üzemi hőmérséklet:–

VCE(sat):1,9 V

VCE(sat)max.:2,3 V

Vceo:600 V

VGE:25 V

VGE(th) min.:–

VGE(th)max.:–