Leírás
Technikai paraméterek
C (in):6000 pF
C (out):1500 pF
Csatorna típus:N
Csomagolás:műanyag cső
Csomagolási egység:30 db
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 darab
Dioda Trr(Min.):200 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode
G-S védelem:nincs
Gyártó:IXYS
Id(imp):200 A
Id(T=100):–
Id(T=25):100 A
Idss (max):5 mA
Idss (min):50 uA
Láb szám:3 db
Pd:1040 W
Rds(on):0,24 Ohm
ROHS:igen
Spec.info:dv/dt: 50V/ns
Szállítási idő: kb. 6-8 munkanap
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):90 ns
td(on):37 ns
Technológia:X2-Class HiPerFET Power MOSFET
Tokozás:PLUS247
Tokozás (adatlap szerint):PLUS-247 ( TO247 Furat nélkül )
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):650 V
Vgs:30 v
Vgs(th) max.:5 V
Vgs(th) min.:3,5 V
