Leírás
Technikai paraméterek
C (in):2700 pF
C (out):270 pF
C-E dióda:van
Csatorna típus:N
Csomagolás:–
Csomagolási egység:–
Dioda Trr(Min.):120 ns
Funkció:Ic25°C:60A, Ic90°C:32A, Icp:120A
G-E Dióda:nincs adat
Gyártó:IXYS
Gyártói rendelési szám:IXGH32N60BU1
Ic:60 A
Ic(puls):120 A
Ic(T=100°C):32 A
Jelzés a tokon:–
Láb szám:3 db
Pd:200 W
ROHS:igen
Spec.info:
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):100 ns
td(on):25 ns
Tokozás:TO-247
Tokozás (adatlap szerint):TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
VCE(sat):2,3 V
Vceo:600 V
VGE:20 V
VGE(th) min.:2,5 V
VGE(th)max.:5 V




