Leírás
Technikai paraméterek
C (in):1850 pF
C (out):400 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):2,5 uS
FET típusa:MOSFET
Funkció:High Speed Power Switching
G-S védelem:van
Gyártó:Hitachi
Id(imp):48 A
Id(T=25):12 A
Idss (max):100 uA
Idss (min):na
Rds(on):0,9 Ohm
td(off):140 nS
td(on):25 ns
Technológia:Silicon N Channel Mos Fet
teljesítmény:175 W
tf(min):TO-3P ( TO3P )
Tokozás (adatlap szerint):TO-3P
Üzemi hőmérséklet:-…+150°C
Vds(max):700 V
Vgs:30 v
VGS(off) min.:2 V
