Leírás
Technikai paraméterek
C (in):1700 pF
C (out):890 pF
Csatorna típus:P
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 darab
Dioda Trr(Min.):56 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Ultra Low On-Resistance
G-S védelem:nincs
Gyártó:International Rectifier
Id(imp):45 A
Id(T=100):7,1 A
Id(T=25):10 A
Idss (max):25 uA
Idss (min):1 uA
Láb szám:8 db
Pd:2,5 W
Rds(on):0,02 Ohm
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
td(off):59 ns
td(on):18 ns
Technológia:HEXFET Power MOSFET
Tokozás:SO
Tokozás (adatlap szerint):SO-8
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):30 V
Vgs(th) max.:2,04 V
Vgs(th) min.:1 V




