Biztonságos fizetés GT30J324 N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V

C (in):4650 pF

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Funkció:High Power Switching Applications

G-E Dióda:nincs

Gyártó:TOSHIBA

Gyártói rendelési szám:GT30J324

Ic:30 A

Ic(puls):60 A

Ic(T=100°C):–

Jelzés a tokon:–

Láb szám:3 db

Max. hőmérséklet:+150 °C

Pd:170 W

ROHS:igen

Spec.info:Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):0,3 ns

td(on):0,09 ns

Tokozás:TO-3PN ( 2-16C1B )

Tokozás (adatlap szerint):TO-3P

Üzemi hőmérséklet:–

VCE(sat):2 V

VCE(sat)max.:2,45 V

Vceo:600 V

VGE:20 V

VGE(th) min.:3,5 V

VGE(th)max.:6,5 V