Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):0,7 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:7 GHz
Funkció:VHF/UHF antenna erősítőbe és RF kommunikációs alkalmazásra
Gyártó:Philips Semiconductors
hFE max.:250
hFE min.:60
Ic:200 mA
Láb szám:4 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:2 W
ROHS:igen
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Tokozás:SOT-223 ( TO-226 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-223
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-60…+150 °C
Vcbo:20 V
Vceo:15 V
Vebo:3 V




