Biztonságos vásárlás Tranzisztor N-MOSFET 100V 1A/8Ap 1.3W 0.54R (0.71A) DIP IRFD110

C (in):180 pF

C (out):81 pF

Csatorna típus:N

D-S védelem:van

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):100 ns

FET típusa:MOSFET

G-S védelem:nincs

Gyártó:International Rectifier

Gyártói rendelési szám:IRFD110PBF

Id(imp):8 A

Id(T=100):0,71 A

Id(T=25):1 A

Idss (max):250 uA

Idss (min):25 uA

Láb szám:4 db

Pd:1,3 W

Rds(on):0,54 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):15 ns

td(on):6,9 ns

Technológia:HEXFET Power MOSFET

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C

Vds(max):100 V

Vgs:20 V

Vgs(th) max.:4 v

Vgs(th) min.:2 V