Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:450 MHz
Funkció:IF and VHF thick and thin-film circuit
Gyártó:DIODES INC.
hFE max.:140
hFE min.:40
Ic:25 mA
Ic(puls):25 mA
Infó1:SMD kód: G1p, G1t, G1W
Jelzés a tokon:G1*
Láb szám:3 db
Pd:200 mW
ROHS:igen
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-23 ( TO236 )
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vcbo:30 V
VCE(sat):–
Vceo:20 V
Vebo:4 V




