Csak ma Tranzisztor N-MOSFET 100V 1.3A10Ap 1.3W 0.27R (0.94A) DIP IRFD120

C (in):360 pF

C (out):150 pF

Csatorna típus:N

D-S védelem:zener

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):130 ns

FET típusa:MOSFET

G-S védelem:nincs

Gyártó:International Rectifier

Id(imp):10 A

Id(T=100):0,94 A

Id(T=25):1,3 A

Idss (max):250 uA

Idss (min):25 uA

Láb szám:4 db

Pd:1,3 W

Rds(on):0,27 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):18 ns

td(on):6,8 ns

Technológia:HEXFET Power MOSFET

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C

Vds(max):100 V

Vgs:20 V

Vgs(th) min.:2 V