Leírás
Technikai paraméterek
Cj:100 pF
DB/tokozás:1 db
Dielektrikum felépítés:Anód-Katód
Dioda Trr(Min.):500 ns
Félvezető anyaga:Si
Gyártó:Taiwan Semiconductor
IF(AV):6 A
IFSM:200 A
IRM (max):200 uA
IRM (min):10 uA
Láb szám:2 db
ROHS:igen
Spec.info:IFSM: 200Ap/8.3mS
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:DO-201
Tokozás (adatlap szerint):DO-201AD ( 9.1×7.2mm ) ( R-6 )
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vf (max):1,2 V
Vf (min):1,2 V
Vrrm:1000 V
