Leírás
Technikai paraméterek
Átmérő:12,75 mm
Cj:250 pF
DB/tokozás:1 db
Dielektrikum felépítés:Ház Anód
Dioda Trr(Min.):1500 ns
Félvezető anyaga:Si
Funkció:Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature
Gyártó:Diotec Semiconductor
Gyártói rendelési szám:BYP35K6
IF(AV):35 A
IFSM:400 A
Láb szám:1 db
ROHS:igen
Spec.info:IFSM: 360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8,3ms
súly:10 g
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Üzemi hőmérséklet:-50…+215 °C
Vf (max):1,1 V
Vf (min):1,1 V
Vrrm:600 V
