Leírás
Technikai paraméterek
Cj:1,5 pF
DB/tokozás:1 db
Dielektrikum felépítés:Anód-Katód
Dioda Trr(Min.):4 ns
Félvezető anyaga:Si
Funkció:High-speed diode
Gyártási idő:2014/22
Gyártó:NXP Semiconductors
Gyártói rendelési szám:BAS316,115
IF(AV):0,5 A
IFSM:1 A
Jelzés a tokon:A6
Láb szám:2 db
ROHS:igen
Spec.info:IFSM: 4A(t=1us), 1A(t=1ms)
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Tokozás:SOD-323
Tokozás (adatlap szerint):SOD-323
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vf (max):1,25 V
Vf (min):0,715 V
Vrrm:85 V
