Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:van
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:van
Darlington?:igen
DB/tokozás:2 db
Félvezető anyaga:Si
fT:10 MHz
Funkció:NF-L
Gyártó:Philips Semiconductors
hFE max.:1500
hFE min.:750
Ic:12 A
Ic(puls):20 A
Infó1:R1: 3K, R2: 45ohm
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:125 W
Spec.info:Párja: BDT65C
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Epitaxial Base Transistor in monolitic Darlington
tf(max):2,5 us
tf(min):0,5 us
Tokozás:TO-220
Tokozás (adatlap szerint):TO-220
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:120 V
VCE(sat):2 V
Vceo:120 V
Vebo:2,5 V




