Leírás
Technikai paraméterek
C (in):6300 pF
C (out):950 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):250 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:N-Channel Enhancement Mode
G-S védelem:nincs
Gyártó:IXYS
Id(imp):220 A
Id(T=100):75 A
Id(T=25):88 A
Idss (max):1 mA
Idss (min):100 uA
IGF:–
Láb szám:3 db
Pd:600 W
Rds(on):40 mOhm
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):96 ns
td(on):25 ns
Technológia:PolarHT Power MOSFET
Tokozás:TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint):TO-3P
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):300 V
Vgs:20 V
VGS(off) min.:–
Vgs(th) max.:5 V
Vgs(th) min.:2,5 V
