Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:0.65 MHz
Gyártó:Tungsram
hFE max.:240
hFE min.:40
Ic:0,5 A
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+175 °C
Pd:0,85 W
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Tokozás:TO-39 ( TO-205 )
Tokozás (adatlap szerint):TO-39
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:60 V
VCE(sat):0,65 V
Vceo:45 V
Vebo:7 V




