GT30J322 N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V Csak ma

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Funkció:Current Resonance Inverter Switching

G-E Dióda:nincs

Gyártó:TOSHIBA

Ic:30 A

Ic(puls):100 A

Jelzés a tokon:–

Láb szám:3 db

Pd:75 W

ROHS:igen

Spec.info:Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):400 ns

td(on):30 ns

Tokozás:TO-3P ( TO-218 SOT-93 )

Tokozás (adatlap szerint):TO-3P( GCE )

Üzemi hőmérséklet:-40…+150 °C

VCE(sat):2,1 V

VCE(sat)max.:2,1 V

Vceo:600 V

VGE:–

VGE(th) min.:–

VGE(th)max.:–