Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:P
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
FET típusa:MOSFET
Funkció:Higher Gate-Source Voltage
G-S védelem:nincs
Id(imp):60 A
Id(T=100):16 A
Id(T=25):10 A
Idss (max):250 uA
Idss (min):10 uA
Láb szám:3 db
Pd:31,,3 W
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):45 ns
td(on):12 ns
Technológia:Enhancement Mode Power MOSFAT
Tokozás:TO-220
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):60 V
Vgs:25 V
