Leírás
Technikai paraméterek
C (in):700 pF
C (out):150 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:nincs
DB/tokozás:1 darab
FET típusa:MOSFET
Funkció:High Power Amplifier Application
G-S védelem:nincs
Gyártó:TOSHIBA
Id(T=25):10 A
Idss (max):1 mA
Idss (min):-
Jelzés a tokon:K1529
Láb szám:3 db
Pd:120 W
ROHS:igen
Spec.info:Párja: 2SJ200
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Field Effect Silicon N-Channel MOS Type
Tokozás:TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint):2-16C1B
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):180 V
Vgs:20 V
VGS(off) max.:2,8 V
VGS(off) min.:0,8 V




