Leírás
Technikai paraméterek
C (in):1400 pF
C (out):80 pF
C-E dióda:van
Csatorna típus:N
Csomagolás:műanyag cső
Csomagolási egység:30
Dioda Trr(Min.):360 ns
Funkció:High Voltage, High Gain
G-E Dióda:nincs
Gyártó:IXYS
Gyártói rendelési szám:IXBH16N170A
Ic:16 A
Ic(puls):40 A
Ic(T=100°C):10 A
Láb szám:3 db
Pd:150 W
ROHS:igen
Spec.info:BIMOSFETTM Monolithic, Bipolar MOS Transistor
súly:6 g
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):160 ns
td(on):15 ns
Tokozás:TO-247
Tokozás (adatlap szerint):TO-247 ( AC )
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
VCE(sat):5 V
VCE(sat)max.:6 V
Vceo:1700 V
VGE:20 V
VGE(th) min.:2,5 V
VGE(th)max.:5,5 V
