Leírás
Technikai paraméterek
Funkció:Efficient Power MOSFET and IGBT Switching
Gyártó:IXYS
Infó1:4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
Infó2:High-Speed
Infó3:Tr: 9ns, Tf: 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v)
Láb szám:8 db
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Tokozás:DIP
Tokozás (adatlap szerint):DIP-8
Üzemi hőmérséklet:-40…+125 °C
Vcc:4,5…35 V
Vcc (op):40 V




