Kedvezmény Tranzisztor N-MOSFET 60V 2.5A/20Ap 1.3W 0.1R (1.8A) DIP IRFD024

C (in):640 pF

C (out):360 pF

Csatorna típus:N

D-S védelem:zener

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):88 ns

FET típusa:MOSFET

G-S védelem:nincs

Gyártó:International Rectifier

Gyártói rendelési szám:IRFD024PBF

Id(imp):20 A

Id(T=100):1,8 A

Id(T=25):2,5 A

Idss (max):250 uA

Idss (min):25 uA

Láb szám:4 db

Pd:1,3 W

Rds(on):0,1 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):25 ns

td(on):13 ns

Technológia:HEXFET Power MOSFET

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C

Vds(max):60 V

Vgs:20 V

Vgs(th) min.:2 V