Kiárusítás HGTG5N120BND N-IGBT 1200V 21A/80Ap 167W Vce(sat)2.45V

C-E dióda:van

Csatorna típus:N

Csomagolás:–

Csomagolási egység:–

Funkció:–

G-E Dióda:nincs

Gyártó:ON Semiconductor

Ic:25 A

Ic(puls):40 A

Ic(T=100°C):10 A

Jelzés a tokon:5N120BND

Láb szám:3 db

Pd:167 W

ROHS:igen

Spec.info:–

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):182 ns

td(on):20 ns

Technológia:NPT series IGBT with anti-paralell hyperfast diode

Tokozás:TO-247

Tokozás (adatlap szerint):TO-247

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

VCE(sat):2,45 V

VCE(sat)max.:3,7 V

Vceo:1200 V

VGE:20 V

VGE(th) min.:6 V

VGE(th)max.:6,8 V