Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):3 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Gyártó:TOSHIBA
Gyártói rendelési szám:2SC2713-GR
hFE max.:400
hFE min.:200
Ic:0,1 A
Infó1:SMD Kód: DG
Jelzés a tokon:DG
Láb szám:3 db
Pd:150 mW
Spec.info:Párja: 2SA1163-GR
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Technológia:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):2-3F1A
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+125 °C
Vcbo:120 V
VCE(sat)max.:300 mV
Vceo:120 V




