Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):10 pF
C (out):4,5 pF
C-E dióda:nincs
Darlington?:nem
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Funkció:általános célra
Gyártó:NEXPERIA
Gyártói rendelési szám:BC860C,215
hFE max.:800
hFE min.:420
Ic:0,1 A
Infó1:Párja: BC850C
Jelzés a tokon:4G
Láb szám:3 db
ROHS:igen
Spec.info:SMD KOD: 4G
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
teljesítmény:0,25 W
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-23 ( TO236 )
Tranzisztor típus:PNP
Üzemi hőmérséklet:-68…+150 °C
Vcbo:50 V
VCE(sat):0,075 V
VCE(sat)max.:0,65 V
Vceo:45 V
Vebo:5 V




