Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):50 pF
C (out):7 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:130 MHz
Gyártó:CDIL
hFE max.:250
hFE min.:40
Ic:1 A
Ic(puls):–
Láb szám:3 db
Pd:0,8 W
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Planar Epitaxial transistor
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vcbo:45 V
VCE(sat):0,5 V
Vceo:45 V
Vebo:5 V




