Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:N
DB/tokozás:1 db
FET típusa:MOSFET
Funkció:HIGH-Speed SW. td(on):18nS, td(off):80nS
Gyártó:Mitsubishi Electric Semiconductor
Id(imp):36 A
Id(T=25):12 A
Idss (max):12 A
Pd:100 W
Rds(on):0,32 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Power MOSFET
Tokozás:TO-220
Tokozás (adatlap szerint):TO-220
Vds(max):250 V
