Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):50 pF
C-E dióda:van
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:13 MHz
Funkció:High Speed High Gain Bipolar NPN Power Transistor
Gyártó:ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám:BUL45GD2G
hFE max.:34
hFE min.:22
Ic:5 A
Ic(puls):10 A
Pd:75 W
ROHS:igen
Spec.info:Built-in Efficient Antisaturation Network
Tokozás:TO-220
Tokozás (adatlap szerint):TO220AB CASE 221A-09
Tranzisztor típus:NPN
Vcbo:700 V
VCE(sat):0,28 V
VCE(sat)max.:0.4 V
Vceo:400 V
Vebo:12 V




