Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:140 MHz
Funkció:Low frequency power amplifier
Gyártó:Hitachi
Gyártói rendelési szám:2SD667
hFE max.:120
hFE min.:60
Ic:1 A
Ic(puls):2 A
Infó1:9 mm
Jelzés a tokon:D667
Láb szám:3 db
Pd:0,9 W
Spec.info:Párja: 2SB647
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Silicon NPN Epitaxial
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-50…+150 °C
Vcbo:120 V
VCE(sat):1 V
Vceo:80 V
Vebo:5 V
