Leírás
Technikai paraméterek
Csatorna típus:P
DB/tokozás:1 db
FET típusa:FET
Funkció:MOS-P-FET-e
Gyártó:International Rectifier
Id(T=100):0,6 A
Id(T=25):0,1 A
Idss (max):0,1 A
Láb szám:4 db
Pd:1,3 W
Rds(on):0,6 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:HEXFET Power MOSFET
Tokozás:DIP
Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4
Vds(max):100 V
