Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:200 MHz
Funkció:Hi-Beta, lo-sat.
Gyártó:TOSHIBA
hFE max.:–
hFE min.:500
Ic:2 A
Ic(puls):–
Infó1:9 mm
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:0,9 W
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Epitaxial Type
tf(max):1,2 us
tf(min):1 us
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:40 V
VCE(sat):0,3 V
Vceo:40 V
Vebo:7 V
