Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:–
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:–
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:150 MHz
Gyártó:TOSHIBA
hFE max.:600
hFE min.:70
Ic:2 A
Ic(puls):5 A
Jelzés a tokon:C2500
Láb szám:3 db
Max. hőmérséklet:+150 °C
Pd:0,9 W
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:NPN Epitaxial Type (PCT Process)
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92M ( 9mm )
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:–
Vcbo:30 V
VCE(sat):0,2 V
Vceo:30 V
Vebo:6 V




