Tranzisztor N-MOSFET 200V 0.8A/6.4Ap 1W 0.8R (0.48A) DIP IRFD220 Utolsó esély

C (in):22 pF

C (out):53 pF

Csatorna típus:N

D-S védelem:zener

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):150 ns

FET típusa:MOSFET

G-S védelem:nincs

Gyártó:VISHAY

Gyártói rendelési szám:IRFD220PBF

Id(imp):6,4 A

Id(T=100):0,38 A

Id(T=25):0,8 A

Idss (max):250 uA

Idss (min):25 uA

Láb szám:4 db

Pd:1 W

Rds(on):0,8 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):19 ns

td(on):7,2 ns

Technológia:Third generation Power MOSFETs

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C

Vds(max):200 V

Vgs:20 V

Vgs(th) max.:4 V

Vgs(th) min.:2 V