Leírás
Technikai paraméterek
C (in):2250 pF
C (out):370 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):250 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:N-Channel Enhancement Mode
G-S védelem:nincs
Gyártó:IXYS
Id(imp):90 A
Id(T=100):36 A
Id(T=25):36 A
Idss (max):200 uA
Idss (min):1 uA
Láb szám:3 db
Pd:300 W
Rds(on):92 mOhm
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):97 ns
td(on):24 ns
Technológia:PolarHT Power MOSFET
Tokozás:TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint):TO-3P
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):300 V
Vgs:30 v
Vgs(th) max.:5,5 V
Vgs(th) min.:3 V
