Leírás
Technikai paraméterek
C (in):2800 pF
C (out):780 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:dióda
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):500 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:MOS-N-FET-e
G-S védelem:van
Gyártó:Hitachi
Id(imp):80 A
Id(T=25):20 A
Idss (max):250 uA
Láb szám:3 db
Pd:120 W
Rds(on):0,27 Ohm
Spec.info:High speed switching Low drive current
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):200 ns
td(on):32 ns
Technológia:V-MOS
Tokozás:TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint):TO-3P
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 °C
Vds(max):500 V
Vgs:30 v
