Leírás
Technikai paraméterek
C (in):480 pF
C (out):130 pF
Csatorna típus:N
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):60 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:Logic-Level Gate Drive
G-S védelem:nincs
Gyártó:International Rectifier
Id(T=100):8,5 A
Id(T=25):17 A
Idss (max):250 uA
Idss (min):25 uA
Pd:47 W
Rds(on):0,075 Ohm
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):20 ns
td(on):7,1 ns
Technológia:HEXFET Power MOSFET
Tokozás:TO-220
Tokozás (adatlap szerint):TO-220AB
Vds(max):55 V
Vgs:16 V
Vgs(th) max.:2 V
Vgs(th) min.:1 V
