Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):3 pF
C-E dióda:nincs
Darlington?:nem
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Gyártó:TOSHIBA
hFE max.:400
hFE min.:200
Ic:0,1 A
Ic(puls):–
Jelzés a tokon:C224GR
Láb szám:3 db
Pd:0,3 W
ROHS:igen
Spec.info:Párja: 2SA970GR
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Epitaxial Type (PCT Process)
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+125 °C
Vcbo:120 V
VCE(sat):0,3 V
Vceo:120 V
Vebo:5 V




