Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):3,5 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:100 MHz
Gyártó:Fairchild
hFE max.:140
hFE min.:70
Ic:0,05 A
Jelzés a tokon:C2310 O
Pd:0,8 W
ROHS:nem
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Epitaxial Silicon Transistor
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92L (9mm magas)
Tranzisztor típus:NPN
Vcbo:200 V
VCE(sat)max.:0,5 V
Vceo:150 V
Vebo:5 V




