Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):3,5 pF
C-E dióda:nincs
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:1100 MHz
Funkció:TV-IF
Gyártó:CDIL
Ic:100 mA
Pd:350 mW
Szerelés:furatszerelt ( THT )
Technológia:Planar Epitaxial transistor
Tokozás:TO-92
Tokozás (adatlap szerint):TO-92
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-55…+150 oC
Vcbo:40 V
Vceo:25 V
Vebo:4 V
