Tranzisztor NPN 60V 3A 25W 3MHz NF/L 2SD2012 Korlátozott ajánlat

B ellenállás:–

B-E dióda:nincs

B-E ellenállás:–

C (in):–

C (out):35 pF

C-E dióda:nincs

DB/tokozás:1 db

Félvezető anyaga:Si

fT:3 MHz

Gyártó:TOSHIBA

hFE max.:300

hFE min.:100

Ic:3 A

Ic(puls):-

Jelzés a tokon:D2012

Láb szám:3 db

Pd:25 W

Spec.info:Párja: 2SB1366

Szerelés:furatszerelt ( THT )

Technológia:Silicon NPN Triple Diffused Type

Tokozás:TO-220FP

Tokozás (adatlap szerint):2-10R1A

Tranzisztor típus:NPN

Vcbo:60 V

VCE(sat):0,4 V

VCE(sat)max.:1 V

Vceo:60 V

Vebo:7 V