Leírás
Technikai paraméterek
B ellenállás:–
B-E dióda:nincs
B-E ellenállás:–
C (in):–
C (out):–
C-E dióda:nincs
Csomagolás:rolni
Csomagolási egység:3000 db
DB/tokozás:1 db
Félvezető anyaga:Si
fT:6 GHz
Funkció:UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Gyártó:Philips Semiconductors
hFE max.:90
hFE min.:40
Ic:35 mA
Ic(puls):–
Jelzés a tokon:R2
Láb szám:3 db
Pd:0,3 W
Spec.info:SMD KOD”R2″
Szerelés:felületszerelt ( SMD )
Tokozás:SOT-23 ( TO-236 )
Tokozás (adatlap szerint):SOT-23 ( TO236 )
Tranzisztor típus:NPN
Üzemi hőmérséklet:-65…+150 °C
Vcbo:15 V
Vceo:12 V
Vebo:2 V




