Tranzisztor P-FET 100V 0.7A/5.6A 1.3W 1.2R (0.48A) DIP IRFD9110 Ne maradj le

C (in):200 pF

C (out):94 pF

Csatorna típus:P

D-S védelem:zener

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):82 ns

FET típusa:MOSFET

Funkció:Fast Switching

G-S védelem:nincs

Gyártó:International Rectifier

Id(imp):5,6 A

Id(T=100):0,49 A

Id(T=25):0,7 A

Idss (max):500 uA

Idss (min):100 uA

IGF:–

Láb szám:4 db

Pd:1,3 W

Rds(on):1,2 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):15 ns

td(on):10 ns

Technológia:HEXFET POWWER MOSFET

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C

Vds(max):100 V

Vgs:20 V

VGS(off) max.:–

VGS(off) min.:–

Vgs(th) max.:4 v

Vgs(th) min.:2 V