Leírás
Technikai paraméterek
C (in):350 pF
C (out):110 pF
Csatorna típus:P
D-S védelem:van
DB/tokozás:1 db
Dioda Trr(Min.):100 ns
FET típusa:MOSFET
Funkció:MOS-P-FET-e
G-S védelem:nincs
Gyártó:International Rectifier
Id(imp):27 A
Id(T=100):4,1 A
Id(T=25):6,8 A
Idss (max):250 uA
Idss (min):25 uA
Pd:48 W
Rds(on):0,48 Ohm
ROHS:igen
Szerelés:furatszerelt ( THT )
td(off):28 ns
td(on):14 ns
Technológia:HEXFET Power MOSFET
Tokozás:TO-220
Tokozás (adatlap szerint):TO-220AB
Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C
Vds(max):100 V
Vgs(th) max.:4 v
Vgs(th) min.:2 V
