Tranzisztor P-MOSFET 60V 1.1A8.8Ap 1.3W 0.5R (0.8A) DIP-4 IRFD9014 Szezonális akció

C (in):270 pF

C (out):170 pF

Csatorna típus:P

Csomagolás:műanyag cső

Csomagolási egység:100 db

D-S védelem:zener

DB/tokozás:1 db

Dioda Trr(Min.):80 ns

FET típusa:FET

Funkció:MOS-P-FET-e

G-S védelem:nincs

Gyártó:International Rectifier

Gyártói rendelési szám:IRFD9014PBF

Id(imp):8,8 A

Id(T=100):0,8 A

Id(T=25):1,1 A

Idss (max):500 uA

Idss (min):100 uA

Láb szám:4 db

Pd:1,3 W

Rds(on):0,5 Ohm

ROHS:igen

Szerelés:furatszerelt ( THT )

td(off):10 ns

td(on):11 ns

Technológia:HEXFET Power MOSFET

Tokozás:DIP

Tokozás (adatlap szerint):DH-1 house, DIP-4

Üzemi hőmérséklet:-55…+175 °C

Vds(max):60 V

Vgs:20 V

Vgs(th) min.:2 V